在半导体、新能源、催化等前沿领域，材料性能的提升依赖于对原子级结构与动态行为的精准解析。传统透射电子显微镜（TEM/STEM）虽能提供高分辨成像，但面临信息维度单一和参数固定性的局限，近些年来发展的4D-STEM技术耦合了多个维度信息，能够全面捕捉电子散射的完整物理信息。     本方案使用的机台为日本电子球差透射电子显微镜（Cs-TEM，JEOL NEOARM 200），搭配Merlin直接电子探测器相机采集4D-STEM数据，通过python代码处理，可以获得： 任意虚拟探测器对应的实空间图像 电子叠层重构成像 质心偏移（CoM）计算 微区电磁场测量 微区应变分布测量 微区晶体取向测量     图1展示了通过在倒空间（衍射平面）设置不同弧度、形状、位置的虚拟探测器作为mask；并进一步积分得到的样品实空间图像。 明场像（BF）收集衍射图谱中心的透射电子（低散射角，接近光轴），主要反映样品厚度、密度及非晶结构的形貌差异。 低角度环形暗场像（LAADF）收集小角度弹性散射电子，可用于晶体应变与取向分析。 环形...

2025年4月26-27日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会（简称专委会）主办，深圳平湖实验室、中山大学承办的“面向人工智能时代的GaN基功率半导体”专题研讨会在深圳成功举行。北京大学沈波教授、香港科技大学陈敬教授、西安电子科技大学张进成教授、广东省科学院半导体研究所陈志涛教授级高工、中山大学刘扬教授、深圳平湖实验室万玉喜主任、中国科学院苏州纳米技术与仿生研究所孙钱研究员、吉林大学张源涛教授、中科院微电子研究所黄森研究员、大连理工大学梁红伟教授等来自19家高校科研院所和20家主要企业的专家受邀参会研讨。 研讨会开幕式由万玉喜主任主持，刘扬教授介绍了会议筹备背景及组织情况，沈波教授代表专委会致辞指出，实践证明举办聚焦细分领域的专题研讨会是促进产、学、研深度交流与协同创新的一种有效方式，本次研讨会旨在通过围绕人工智能等领域对低压GaN功率器件的应用需求及亟需解决的技术难题进行研讨，以期进一步促进GaN基功率半导体技术进步和产业发展，更好满足我国AI智能计算、人形机器人、智能驾驶、无人机、激光...

4月23日2025九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)在光谷科技会展中心盛大开幕，两院院士、行业领袖、企业代表、专业观众聚首江城共赴年度之约。超两万平方展览面积近300家参展商亮相的沸腾现场证明化合物半导体的未来正在中国写下最炽热的注脚。 实力亮相科研机构展区，全景展示平台综合能力 本届展会六大主题展区覆盖从材料到设计、设备、制造及应用终端的化合物半导体全产业链，彰显化合物半导体产业热度与集群效应。除了行业头部FAB与化合物半导体设备厂商联袂亮相，展会首设科研机构展区，全景式展示尖端科研力量。 其中，国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台正式通线以来，第一次搭建特展展台并对外亮相，平台作为全国首个集科研和中试于一体的8吋功率半导体开放共享平台，本次博览会展台上全面展示科研平台、设计仿真平台、中试平台、分析检测中心能力，同时带来了8吋 SiC激光剥离衬底及复合衬底、1200V SiC外延及厚膜外延、650V GaN HEMT器件、1200V 80mΩ SiC MOSFET器件及1200V 20A SiC SBD器件...