为进一步加强一流大学科技园区建设，以高水平市校合作推动在深院校研究院高质量发展，2025年3月13日，深圳虚拟大学园春茗会在国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台成功举办。科创战略中心有关负责人、深圳虚拟大学园成员院校深圳研究院代表、国创中心深圳综合平台有关负责人共60余人参会。 会前，国创中心深圳综合平台邀请与会人员参观了全国首个集科研和中试于一体的8吋功率半导体工艺线及业内领先的产学研融合创新性析检测中心，平台相关负责人向大家详细介绍了平台的发展历程、核心业务、科研创新以及设备工艺等多方面的情况，让大家对平台的技术实力和合作潜力有了全面深入的认识。 会上，科创战略中心主要负责同志分享2024年深圳虚拟大学园的工作成效，并提出下一步工作计划。她提出，希望各成员院校深圳研究院充分发挥自身学科优势，深度融合深圳产业资源，共同推进国家大学科技园建设。 国创中心深圳综合平台主任万玉喜回顾了平台建设的各个重要节点，并表示将大力推动第三代半导体关键技术攻关及成果产业化，持续提升创新能力。万玉喜主任还诚邀各成员院校...

深圳平湖实验室GaN工艺及器件课题组刘轩博士在《Japanese Journal of Applied Physics》发表题为”Subthreshold and turn-on characteristics in Schottky-type p-GaN Gate HEMTs: impact of partially and fully depleted p-GaN layer”的研究论文，系统性揭示了p-GaN层激活状态对肖特基栅HEMT器件开态特性的关键调控机制，为新一代高效氮化镓功率器件设计提供了重要理论支撑。 该论文系统探究了p-GaN层Mg激活浓度对肖特基栅极HEMT器件亚阈区及开态特性的调控机制，重点对比了部分耗尽PDP-GaN（partially depleted p-GaN，激活浓度为1e19 cm-3 ~ 7e17 cm-3）与完全耗尽FDP-GaN（fully depleted p-GaN，激活浓度忽略不计）两种结构对器件性能的影响规律。实验表明：PDP-GaN器件保持稳定的亚阈值摆幅SS和阈值电压VTH，其跨导最大值Gm,max随Mg浓度提升呈线性增长；同时，与其他器件相比，具有 FDP-GaN 的器件显示出更高的SS、更低的VTH 和特定的Gm,max。结果表明，亚阈区特性（SS和VT...

       SiC是第三代半导体材料，在低功耗、小型化、高压、高频的应用场景有极大优势。但SiC由于莫氏硬度高达9.5，是很难加工的材料，传统加工流程如下： 衬底工艺流程：   上述流程中用到的多线切割工艺单片衬底材料损失和切割时间如下： ①6 inch SiC晶锭：切割时间约130h，单片材料损失约280～300 μm； ②8 inch SiC 晶锭：切割时间约180h，单片材料损失约280～300 μm； 由此计算，1颗SiC晶锭，厚度为20 mm，单片损失按照300μm，理论产出晶片30片，单片材料损耗率达到46%。 为降低材料损耗，深圳平湖实验室新技术研究部开发激光剥离工艺来替代传统的多线切割工艺，其工艺过程示意图如下所示：   激光剥离工艺与多线切割工对照： 有益效果：使用激光剥离工艺，得到6/8 inch SiC衬底500μm和350μm产品单片材料损耗≤120 μm，出片率提升40%，单片成本降低约22%。 激光剥离技术在提高生产效率、降低成本方面具有显著效果，该工艺的推广，对于快速促进8 inch SiC衬底产业化进程有着重要意义。不仅为SiC...