8月26日，2026 PCIM在深圳国际会展中心（宝安新馆）盛大启幕。作为功率半导体与电力电子领域极具影响力的年度盛会，本次展会汇聚全球产业链优质资源，共探技术创新与产业升级之路。深圳平湖实验室受邀参与展会，并与PCIM Asia Shenzhen联合主办超宽禁带半导体前沿技术论坛，紧扣国家 “十五五” 规划战略方向，聚焦金刚石、氧化镓等第四代半导体前沿材料革新与技术突破，以高端交流平台赋能产学研用深度协同，助力我国超宽禁带半导体产业高质量、跨越式发展。 超宽禁带半导体前沿技术论坛 当前，以SiC、GaN为代表的宽禁带半导体已构建成熟产业生态，成为功率半导体领域的主流支撑。顺应国家战略部署，金刚石、氧化镓等超宽禁带半导体作为第四代半导体核心方向，凭借更优的材料特性与代际优势，迈入关键研发与技术攻坚新阶段，是未来半导体产业竞争的核心赛道。 本次超宽禁带半导体前沿技术论坛精准锚定产业前沿趋势，汇聚深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华，西安电子科技大学教授张金风，杭州镓仁半导体有限公司董...

近日，深圳平湖实验室与龙腾半导体股份有限公司正式签署战略合作协议，双方将围绕固态变压器（SST）、逆变器等碳化硅高端应用领域展开深度合作，携手推动宽禁带半导体技术创新突破与产业化落地，共筑半导体产业高质量发展新生态。 碳化硅作为宽禁带半导体核心材料，具备高耐压、高效率、高导热等优异性能，是固态变压器、高端逆变器等电力电子装备的关键核心器件，在新能源、智能电网、先进装备等高端领域应用前景广阔，是我国半导体产业实现自主可控的重要战略方向。 此次战略合作，是科研创新平台与行业实力企业的精准对接、优势互补。龙腾半导体选择与深圳平湖实验室携手，正是看中实验室在碳化硅领域完备的科研平台、扎实的技术积累以及成熟的中试转化能力。深圳平湖实验室集聚优质科研力量，打通从基础研究、技术攻关到工程化生产、产品验证的全链条环节，能够高效匹配企业产品迭代与产业化落地需求，为碳化硅器件面向高端场景规模化应用提供坚实技术支撑。 以本次合作为契机，双方将充分发挥各自优势，把科研创新、中试工艺与市场资源高效协同、深度互补，瞄准...

在电力传输、电网装备、高压电源等关键领域，更高电压、更低损耗、更小体积的功率器件，一直是全球科研与产业界追求的核心目标。传统硅基器件经过数十年发展，已逼近材料物理性能天花板，难以满足特高压输电、新型电力系统、大功率新能源装备对更高耐压、更高效率的迫切需求。超高压SiC功率器件凭借其宽禁带、高临界击穿电场、优异热导率等特性，在耐压能力上远超商用硅基器件，被公认为固态变压器、高压直流输电、电网基础设施、脉冲功率等中高压应用场景的理想解决方案。 近日，深圳平湖实验室在超高压碳化硅功率器件领域取得重大突破，成功研制出额定电压20kV、导通电阻约1Ω的SiC MOSFET器件。相关研究成果已在2026年5月于美国拉斯维加斯举行的国际电力电子领域顶级会议ISPSD 2026上正式发布(doi: 10.1109/ISPSD64561.2026.11553694)。该器件比导通电阻关键性能指标上接近4H-SiC材料的理论极限，标志着我国在超高压功率半导体领域迈入了国际前列。 国际首创，关键性能指标接近理论极限 基于深圳平湖实验室自主搭建、面向产业验证的8...