近日，深圳平湖实验室与龙腾半导体股份有限公司正式签署战略合作协议，双方将围绕固态变压器（SST）、逆变器等碳化硅高端应用领域展开深度合作，携手推动宽禁带半导体技术创新突破与产业化落地，共筑半导体产业高质量发展新生态。 碳化硅作为宽禁带半导体核心材料，具备高耐压、高效率、高导热等优异性能，是固态变压器、高端逆变器等电力电子装备的关键核心器件，在新能源、智能电网、先进装备等高端领域应用前景广阔，是我国半导体产业实现自主可控的重要战略方向。 此次战略合作，是科研创新平台与行业实力企业的精准对接、优势互补。龙腾半导体选择与深圳平湖实验室携手，正是看中实验室在碳化硅领域完备的科研平台、扎实的技术积累以及成熟的中试转化能力。深圳平湖实验室集聚优质科研力量，打通从基础研究、技术攻关到工程化生产、产品验证的全链条环节，能够高效匹配企业产品迭代与产业化落地需求，为碳化硅器件面向高端场景规模化应用提供坚实技术支撑。 以本次合作为契机，双方将充分发挥各自优势，把科研创新、中试工艺与市场资源高效协同、深度互补，瞄准...

在电力传输、电网装备、高压电源等关键领域，更高电压、更低损耗、更小体积的功率器件，一直是全球科研与产业界追求的核心目标。传统硅基器件经过数十年发展，已逼近材料物理性能天花板，难以满足特高压输电、新型电力系统、大功率新能源装备对更高耐压、更高效率的迫切需求。超高压SiC功率器件凭借其宽禁带、高临界击穿电场、优异热导率等特性，在耐压能力上远超商用硅基器件，被公认为固态变压器、高压直流输电、电网基础设施、脉冲功率等中高压应用场景的理想解决方案。 近日，深圳平湖实验室在超高压碳化硅功率器件领域取得重大突破，成功研制出额定电压20kV、导通电阻约1Ω的SiC MOSFET器件。相关研究成果已在2026年5月于美国拉斯维加斯举行的国际电力电子领域顶级会议ISPSD 2026上正式发布(doi: 10.1109/ISPSD64561.2026.11553694)。该器件比导通电阻关键性能指标上接近4H-SiC材料的理论极限，标志着我国在超高压功率半导体领域迈入了国际前列。 国际首创，关键性能指标接近理论极限 基于深圳平湖实验室自主搭建、面向产业验证的8...

近日，国产首套8英寸SiC炉管套件搭载国产首台高温栅氧炉验证发布暨合作框架签署仪式在深圳平湖实验室举行。此次验证成果标志着我国在第三代半导体核心装备领域取得重大突破，深圳平湖实验室作为关键验证平台，有力推动国产半导体设备自主可控进程加速，这也是国产半导体材料与装备自主创新、协同突破的重要里程碑。     深圳平湖实验室主任万玉喜、深圳市志橙半导体材料股份有限公司董事长朱佰喜、中国电子科技集团公司第四十八研究所副所长舒勇东分别致辞，此次三方强强联合，通力合作，成功实现了从材料、设备到工艺验证的闭环，为我国SiC功率器件向大尺寸、高性能迈进奠定了坚实基础。     仪式上，志橙半导体孙应一作《志橙SiC陶瓷产品介绍》、中国电科四十八所半导体装备研究部杨金作《8吋SiC高温氧化炉设备介绍》，深圳平湖实验室工程部扩散模组经理周俊发布《国产首套8英寸SiC炉管套件搭载国产首台高温栅氧炉中试验证专项汇报》。报告确认，国产材料和设备在深圳平湖实验室完成了严苛的中试验证，各项核心指标达到国际先进水平，...