深圳平湖实验室第四代材料器件研究团队和南方科技大学化梦媛副教授研究团队合作在《Journal of Vacuum Science & Technology A》国际期刊上发表题为“Vertical β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with Low Surface Roughness”的研究论文，开发了低粗糙度氧化镓刻蚀工艺，探究了表面粗糙度、氧空位缺陷等对氧化镓肖特基势垒二极管（SBD）器件性能的调控机制。陈嘉祥博士是该文的第一作者。 卤化物气相外延（HVPE）是制备氧化镓外延层的主流商用方法之一，具备高生长速率的优点，但其厚膜外延在CMP抛光后普遍存在表面粗糙度较大和表面杂质等问题。采用感应耦合等离子体反应离子刻蚀（ICP-RIE）等方法可去除表面沾污，但刻蚀过程中易产生副产物、引入刻蚀损伤和表面缺陷，导致表面粗糙度增大，从而降低表面质量、劣化器件的导通与耐压特性。如何实现低粗糙度、高质量的肖特基接触是实现高性能氧化镓器件亟需克服的关键难点。 本工作系统研究了HVPE的氧化镓外延在不同刻蚀工艺处理后，其表面形貌、氧空位缺陷演化规律...

深圳平湖实验室第四代半导体材料器件研究团队的刘妍博士和李翔博士近期在《Micromachines》上发表题为“High-Indium-Composition, Ultra-Low-Power GaAsSb/InGaAs Heterojunction Tunnel Field-Effect Transistors”的文章。 该文基于TCAD仿真，系统研究了GaAsSb/InGaAs隧穿场效应晶体管中GaAsSb层p型掺杂浓度与本征InGaAs层In组分对器件性能的影响，并开展了实验验证。研究结果表明，器件最优性能并非出现在In组分与InP衬底晶格匹配的0.53的结构中，而是在In组分较高（0.58左右）时实现。经参数优化后，器件在VDS=VGS=0.5 V条件下，亚阈值摆幅低至13.51 mV/dec，导通电流可达35.39 μA/μm。该研究为高性能超低功耗III-V族隧穿场效应晶体管提供了兼具应用前景与工艺可实现性的材料体系，并给出了清晰明确的器件设计指导。 基于GaAsSb/InGaAs异质结的隧穿场效应晶体管器件示意图及该器件对应能带图   In组分对器件性能的影响   期刊简介： 《Micromachines》是由MDPI出版的一...

  时代使命下的国产化验证力量 发刊词立足全球科技竞争格局，第三代半导体自主可控对国家供应链安全、产业升级具有重要战略价值。当前，全球新能源转型深化、AI算力需求爆发，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，已成为打破国际垄断、实现产业突围的重要抓手，更是我国从“半导体大国”向“半导体强国”跨越的关键支撑。然而，国产半导体产业在规模化发展中仍面临“卡脖子”瓶颈，核心设备、高端材料的成熟度有待提升，产业链协同不足等问题突出，而中试平台国产化验证正是破解困局、推动产业高质量发展的有效路径。深圳平湖实验室做为国家第三代半导体技术创中心（深圳）的实体运营单位，始终以实干笃行回应时代使命，通过3年多的持续攻坚，已建成全球首个集科研和中试于一体的8吋第三代功率半导体开放、共享的平台，并积极推进核心关键领域国产化装备、零部件的验证与催熟。为确保第三代半导体领域国家战略安全，核心装备自主可控，深圳平湖实验室真抓实干，已完成124台主工艺设备（除光刻机）全链条国产...