近日，深圳平湖实验室第四代半导体研究团队与新技术工程部团队传来喜讯：在氧化镓表面平坦化与无金欧姆接触工艺上双双取得重要进展。团队基于金属有机化学气相沉积（MOCVD）的氧化镓外延片，利用无金工艺实现了8E-7 Ω cm²（的比接触电阻率并同时开发了氧化镓外延片表面平坦化新工艺，使氧化镓表面均方根粗糙度降至0.107nm，两项核心指标均达到业界最优水平，为我国第四代半导体自主可控与产业化落地再添关键支撑。 氧化镓是当前全球重点攻关的超宽禁带半导体核心材料，具备耐高压、耐高温、大功率等突出优势，是下一代高功率电力电子器件的理想选择。然而，长期以来，两大技术瓶颈制约着氧化镓器件走向量产：一是电极接触依赖贵金属金，成本高、热稳定性差；二是外延片表面粗糙，易引发缺陷与电场集中，影响器件可靠性。此次深圳平湖实验室研究团队一次性破解两大行业难题。 一、无金欧姆接触工艺：不用黄金造电极，成本降 90%，性能更稳 氧化镓欧姆接触工程长期依赖金（Au）基体系，而无金（Au-free）欧姆接触是实现量产落地与产业自主可控的关键...

2026年6月6日，面向半导体工艺制造及量检测用激光器研讨会在深圳顺利召开。会议由集成电路零部件创新联盟主办，深圳平湖实验室、广东省大湾区集成电路与系统应用研究院、深圳市半导体与集成电路产业联盟承办，深圳平湖实验室主任万玉喜担任上午场主持，集成电路零部件创新联盟理事长雷震霖出席并作开幕致辞。 激光器是半导体产业关键基础器件，既是半导体制程加工的重要能量源，也是各类精密量检测设备的核心光源，贯穿芯片制造、精密检测全产业链应用场景，直接影响芯片制程迭代与产品良率管控。本次会议立足激光器关键产业价值，深度链接产学研用创新体系，汇聚国内顶尖科研院所、半导体激光及设备领域头部企业、FAB厂等，吸引超60家链上标杆单位、近百位行业专家参会，围绕半导体制造、精密量检测领域激光器前沿、工艺落地、国产化替代、场景应用等关键议题展开全维度深度研讨。会议旨在破解半导体工艺制造与量检测用激光器真实痛点，实现前沿理论与工业需求精准高效对接。通过凝聚产业链上下游共识、整合资源，加速关键核心技术协同攻关，为我国半导体激光器自主...