金刚石，被誉为第四代半导体的“终极材料”。凭借超宽禁带、超高载流子迁移率以及自然界顶尖的导热性能，金刚石功率器件可耐受高压、高温、高频工况，是轨道交通、航空航天、深地勘探等极端场景下的核心电子元器件，产业战略价值突出。但长期以来，材料激活率偏低、加工难度大和表面终端退化等等工艺瓶颈，一直阻碍高性能金刚石半导体器件的研发落地。 近期，深圳平湖实验室第四代半导体研究团队在金刚石功率器件方向取得重要突破，成功研制高性能金刚石肖特基势垒二极管（SBD）与氢终端金刚石场效应晶体管（MOSFET），多项关键性能指标达到国内领先水平，为我国超宽禁带半导体技术自主可控迈出坚实一步。   01金刚石肖特基势垒二极管（SBD）：耐压超3000V，500℃高温稳定工作 肖特基势垒二极管（SBD）是电力电子电路的基础器件，核心作用是承受高压、阻断反向电流。研究团队对整套器件制备工艺开展系统性优化，改善肖特基接触界面品质，降低欧姆接触电阻，优化刻蚀加工方案。 深圳平湖实验室研发的金刚石肖特基势垒二极管（SBD）器...