近日，国家自然科学基金委员会正式公布2026年度国家自然科学基金集中接收申请项目评审结果。深圳平湖实验室作为牵头单位，第四代材料器件课题组丁森川博士申报的青年科学基金项目（C 类）《量子级CVD金刚石氮‑空位诱导机制及扩散动力学机理探索》成功获得立项资助。 国家自然科学基金是我国资助基础研究的核心渠道，本次项目获批，是实验室研究方向原创性、科研团队综合实力的高度认可。项目紧扣下一代半导体与量子材料领域前沿科学命题，基于等离子化学气相沉积制备的高质量原位氮掺杂单晶金刚石，以氢离子注入为主、辐照为辅实现空位诱导，结合分段高温退火工艺开展原位氮掺杂单晶金刚石NV色心的扩散调控研究；剖析替位氮、空位等杂质缺陷的存在机制，探索面向量子传感器应用的量子级单晶金刚石制备路径，并完成相关器件特性验证。项目研究成果将为NV色心的可控制备提供具备实际应用价值的技术储备，对推动NV色心的技术落地、拓展其应用场景，具备重要的科学价值与工程意义。 本次青年科学基金项目成功立项，标志着实验室在下一代半导体、量子金刚石材料基...

8月26日，2026 PCIM在深圳国际会展中心（宝安新馆）盛大启幕。作为功率半导体与电力电子领域极具影响力的年度盛会，本次展会汇聚全球产业链优质资源，共探技术创新与产业升级之路。深圳平湖实验室受邀参与展会，并与PCIM Asia Shenzhen联合主办超宽禁带半导体前沿技术论坛，紧扣国家 “十五五” 规划战略方向，聚焦金刚石、氧化镓等第四代半导体前沿材料革新与技术突破，以高端交流平台赋能产学研用深度协同，助力我国超宽禁带半导体产业高质量、跨越式发展。 超宽禁带半导体前沿技术论坛 当前，以SiC、GaN为代表的宽禁带半导体已构建成熟产业生态，成为功率半导体领域的主流支撑。顺应国家战略部署，金刚石、氧化镓等超宽禁带半导体作为第四代半导体核心方向，凭借更优的材料特性与代际优势，迈入关键研发与技术攻坚新阶段，是未来半导体产业竞争的核心赛道。 本次超宽禁带半导体前沿技术论坛精准锚定产业前沿趋势，汇聚深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华，西安电子科技大学教授张金风，杭州镓仁半导体有限公司董...