摘要：国家第三代半导体技术创新中心（深圳综合平台）已具备为高端功率半导体材料和器件科研和中试提供全方位的服务，包括新型产品的科研、国产软件工具的研发、装备零部件的验证。深圳青年创业者可以依托平台完成设计、验证、开发，成熟后再对接量产制造平台，打通从创意到产品的全链条。 来源：深圳特区报  

2026年2月9日，深圳平湖实验室万玉喜主任携实验室技术委员会专家代表，碳化硅领域首席专家和战略规划部、伙伴发展部主管等一行八人前往南方电网公司总部，就新型电力电子器件在输变电和配电领域的应用开展调研交流。南方电网公司副总经理李锐、南方电网科学研究院董事长、党委书记郑外生等领导及南网新兴产业部、南网科研院电力电子所的领导、专家们参加座谈。 双方就现有输变电、配电的技术发展趋势，应用痛点，技术要求等充分交流了看法。南方电网与会领导对于深圳平湖实验室研发中的高压碳化硅功率器件技术表示了浓厚的兴趣。双方在会上达成一致，会后建立联合工作组，针对碳化硅高压器件技术展开场景匹配和应用验证，并以产业化为目标尽快开展研发合作。双方会择机促成建设多方联合实验室，推动新型功率半导体器件在高压电力电子场景中的应用落地。 撰稿 |  左正  ...

近日，深圳平湖实验室第三代跃升团队在碳化硅结型场效应晶体管JFET集成电路（IC）研发上取得阶段性进展，成功开发并验证SiC JFET IC技术路线。相比国际先进高温碳化硅JFET IC ±25V电源电压，实验室碳化硅IC逻辑门电路、单级放大器、差分放大器等IC结构可以在±5V及以下电源电压水平下正常工作，实现设计功能。 图一 SiC JFET IC OM及SEM图 该SiC JFET IC平台基于深圳平湖实验室先进的8英寸SiC中试平台开发，同时兼容SiC功率JFET与JFET集成电路（IC）技术工艺，可以满足不同电阻规格的JFET与JFET IC技术开发需求。基于平台器件电性测试结果提取SPICE模型，可以较好拟合单级放大器电性测试结果（图二右）。设计差分放大器结构进一步优化后，基于SPICE模型仿真，在-5.90V的共模电压下，可实现39.1dB差分电压增益和407kHz的-3dB带宽，以及极高输入阻抗。  图二 （左）兼容SiC功率JFET与JFET IC的多项目晶圆照片 （右）提取单级放大器SPICE模型与...