SiC衬底材料应用领域及基本加工流程

制造芯势力，引领向未来

       当今电子技术领域的发展日新月异，尤其是在半导体材料和器件方面，SiC（碳化硅）衬底作为一种关键材料，正逐步展现出其在功率电子和光电子应用中的重要性。

碳化硅（SiC）材料应用

       碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，具有比传统硅（Si）更高的热导率、电场饱和、漂移速度和击穿电压，因而在高功率、高频率电子器件中表现出显著的优势。其中，SiC衬底作为制备这些器件的基础，其晶体质量和物理性能对器件性能具有至关重要的影响。

碳化硅（SiC）加工流程

       SiC衬底的晶体质量对器件的电特性和可靠性至关重要。高质量的SiC衬底能够有效减少晶格缺陷和杂质，提高器件的击穿电压和导电性能，从而降低功率器件的开关损耗，提高整体效率。因此，SiC晶体生长过程控制缺陷和衬底加工中主要工艺站点切割/研磨/CMP抛光对衬底面型几何参数非常重要，下面我们初步了解衬底生产的大致流程：

SiC主要生产流程为如下：
 主要区分为晶体生长以及衬底加工。

       晶体目前主要的制备方法包括升华法（PVT）、高温化学气相沉积法（HT-CVD）
以及液相法（LPE）；这些方法不仅影响着SiC衬底的晶体质量，还直接关系到器件的成本和大规模生产的可行性。

SiC衬底的工艺流程如下：切割、研磨、抛光、清洗、检测                 

       SiC衬底的发展不仅仅局限于功率电子领域。随着UV光源、光电探测器和传感器等光电子器件的不断发展，SiC衬底也在这些领域展示出了优异的性能，尤其是在高温、高辐射以及强化学腐蚀环境下的稳定性和耐用性。

总结

       综上所述，SiC衬底作为未来电子技术发展的关键材料之一，其在功率电子和光电子领域的广泛应用前景不容忽视。随着制备技术的进一步进步和工艺优化，SiC衬底有望在多个关键应用领域中发挥更大的作用，推动电子器件的性能和效率达到新的高度。

撰稿 | 庄裕峯

编辑 | 翟雪婷