设计与仿真研究团队 博士后
团队简介：
平湖实验室拥有齐全的功率器件仿真平台，配备了Silvaco, Siemens, 华大九天，comsol等著名EDA供应商的仿真工具，可满足功率器件的TCAD、版图设计和多物理场仿真要求，并可利用超算资源进行第一性原理计算，结合综合平台端到端快速闭环优势，实现材料设计到器件仿真与迭代优化一条龙。实验室拥有约10人的设计仿真团队，其中北大，中科院、剑桥博士占比40%，业界经验丰富，专精功率器件研发多年。
合作导师介绍：
王晓萍博士为2023年长江计划学者，在国外著名半导体企业工作多年，有丰富的仿真经验。
招聘条件：
1、身心健康，年龄不超过40周岁；
2、已获得或即将获得微电子、半导体物理等相关专业的博士学位；
3、熟悉GaN器件结构原理、动静态电参数及工艺，有GaN TCAD仿真和器件建模相关经验；
4、具有创新和团队合作精神，能够出色完成科研工作。
课题简介：
GaN HEMT物理基器件紧凑模型开发
预期目标：实现基于物理的GaN HEMT的器件模型建模，并与国产EDA厂商合作实现仿真工具开发；
研究水平：针对氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）器件结构复杂，器件模型多样化、模型不连续且多为行为模型的问题，利用项目流片所得电性数据，建立考虑自热效应的GaN HEMT器件物理模型，预测器件的电流 - 电压特性，与业界认证的行为模型对比。本课题预期实现模型精度比现有ASM HEMT模型提高30%，收敛速度提高30%；对自热效应的预测仿真值与测试值误差≤10%，对电流崩塌效应的预测仿真值与测试值误差≤10%；
市场前景：国产EDA市场上还未出现针对出GaN HEMT的物理基器件紧凑模型，国产EDA厂商缺乏验证平台和技术力量去实现模型开发。项目完成后，可进行技术授权，与国产EDA厂商合作实现仿真工具开发，填补市场空白。
岗位职责：
独立承担合作导师交给的研究课题，协助申报各类科研项目，并与国内EDA工具龙头公司合作共同开发验证EDA相关工具。
