深圳平湖实验室受邀出席IFWS&SSLCHINA2024
2024年11月19日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州开幕这是第三代半导体领域重要的论坛之一，行业专家云集，深圳平湖实验室多位专家学者受邀出席大会，并在多场分论坛带来精彩分享，深度参与其中。
9项 SiC MOSFET测试与可靠性标准发布仪式
为促进产业链协同创新发展，第三代半导体产业技术创新战略联盟在产业各界的关注和支持下，布局并持续启动了SiC MOSFET功率器件的系列标准制定工作，本次开幕式上，举行了9项SiC MOSFET功率器件测试与可靠性标准的发布仪式。深圳平湖实验室主任万玉喜作为参与多个标准制定的单位代表上台共同发布。
这一系列标准的发布，旨在为SiC MOSFET功率器件提供一套科学、合理的测试与评估方法，支撑产品性能提升，推动产业高质量发展。
第三代半导体标准与检测研讨会
“第三代半导体标准与检测研讨会”同步举办，本次研讨会亮点纷呈，多位行业权威专家围绕第三代半导体的技术前沿和标准体系进行了深入交流与探讨。深圳平湖实验室失效分析首席专家何光泽则分享了《面向SiC/GaN功率器件失效分析的测试技术与典型应用》。
第三代半导体高功率器件随着各领域的广泛应用，其产值在过去几年有显著的成长，因此研发与量产的分析检测需求也随之增加并多样化，有别于硅基的高功率器件和集成电路，第三代半导体的分析检测手法与流程也有所不同，何首专的分享不仅说明了碳化硅与氮化镓高功率器件产品的分析步骤，同时阐释了不同类型设备在各种失效、结构与缺陷分析上的应用。分享结束后与会嘉宾与何首专进行了热烈的问答与交流，就检测技术应用等细节展开了深入探讨。
研讨会不仅加深了与会者对现行标准的理解，也为行业内的技术发展和应用提供了宝贵的参考。
超宽禁带半导体技术分会
随后举行的技术分会上，来自产业链不同环节的百余位专家分享精彩报告，全面追踪第三代半导体产业链技术前沿进展趋势，把握全球技术脉动走向。
深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家张道华教授，在超宽禁带半导体技术论坛上作为首个汇报嘉宾进行了报告分享，分享题目为《超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究》。包括氧化镓和氮化铝在内的超宽禁带半导体具有禁带宽度大，击穿电场和功率密度高，抗辐射能力强等特点，在高温、高压和高辐射等极端环境下的应用方面具有显著优势。目前超宽带隙半导体的挑战主要集中在材料性能的提升，掺杂和缺陷的调控以及成本的降低。报告中重点介绍了深圳平湖实验室第四代材料与器件课题组近期在氧化镓及氮化铝的理论研究和材料表征等方面所做的工作以及实验室在宽带隙和超宽带隙半导体研究方面的布局和规划。
现场专家、学者就报告内容与张道华教授进行了提问交流与深入探讨。与会嘉宾对报告内容高度关注，各方展现出了开放合作的热忱，现场气氛热烈、精彩纷呈。
平台建设与人才培养强芯沙龙
作为论坛同期重要配套活动之一,《强芯沙龙·会客厅》围绕多项主题同步线下展开探讨。
在“平台建设与人才培养”主题环节，深圳平湖实验室科技发展部副部长丁祥金分享了《深圳平湖实验室平台及能力介绍》。重点展示了平台建设情况及人才培养模式的经验探索并与线下嘉宾展开深度对话，探讨平台建设与人才培养良性循环体系的建立。
第三代半导体具有产业创新和科技创新融合的特点，通过加强平台建设，可以更好地集聚创新资源，为人才培养提供良好的保障，更好地推动第三代半导体事业的发展。
撰稿 | 翟雪婷、查显弧
部分图片文字来源 | 大会组委会
编辑 | 李晓
