深圳平湖实验室主任率队调研考察浙大杭州科创中心先进半导体研究院

       2024年7月16日下午，深圳平湖实验室主任率队赴浙江大学杭州国际科创中心（简称浙大杭州科创中心）调研参观及交流。浙大杭州先进半导体研究院副院长、半导体材料研究室主任皮孝东接待了深圳平湖实验室一行访问，并由先进半导体研究院半导体材料研究室课题组长王蓉特聘研究员为大家详细介绍浙大杭州科创中心平台建设、研究内容、创新体系、人才团队等情况。

       浙大杭州科创中心是浙江大学和杭州市全面深化市校战略合作共建的重大科技创新平台，以重大科研任务攻关和大型科技基础设施建设为主线，聚焦物质科学、信息科学、生命科学的会聚融通，推进多学科的交叉会聚和跨界融合，培育重大引领性、原创性科研成果，孵化高新科技类领军企业和独角兽企业，探索有利于基础研究、应用研究与产业发展全链条贯通的体制机制。

       随后，先进半导体研究院功率芯片研究室课题组长任娜副研究员带领万主任一行参观宽禁带半导体材料与器件科研产线，在展示中心着重介绍了SiC材料的突破6吋100mm厚度晶锭生长及国内首款650V SiC沟槽栅MOSFET器件，并引导参观了SiC、第四代超宽禁带半导体材料及器件研究等材料生长、器件制备、性能验证等科研装备及产线。

       先进半导体研究院是浙大杭州科创中心下设机构之一，由杨德仁院士担任首席科学家，盛况教授担任院长。研究院整合浙江大学电气学院、材料学院、信电学院以及上下游相关企业力量，以宽禁带半导体材料、功率芯片和射频芯片的研发与产业化为核心，以封装测试和应用技术作为服务支撑，拥有国际一流的大型仪器设备和超净实验室等研发设施。

       座谈交流会时，深圳平湖实验室万主任介绍了实验室科研基础能力建设的相关情况。深圳平湖实验室以建设世界领先的第三代及第四代功率半导体创新、中试及共享的平台为愿景，下设多个先进功率半导体课题组，开展前沿探索、应用基础研究、重大技术攻关、产业应用示范等工作，提供知识产权，推进科技成果转移转化。

       双方与会专家深入探讨了第三代、第四代半导体产业的现状、挑战与未来趋势。在科研布局和产业链的着力点上，浙大杭州先进半导体研究院聚焦在宽禁带半导体基础材料端的改进和提升，与深圳平湖实验室在宽禁带半导体的器件研发及制备方面具有很大的互补性，双方针对宽禁带半导体差异化方向，就未来合作与协同进行深入探讨和交流。

撰稿 | 宋子杰

摄影 | 宋子杰

编辑 | 翟雪婷