深圳平湖实验室亮相“2024年第一届氧化镓技术与产业研讨会”
2024年7月18日，深圳平湖实验室在杭州“2024年第一届氧化镓技术与产业研讨会”首次对外亮相。本次产业研讨会是由浙江大学杭州国际科创中心等单位主办，在氧化材料和技术日趋产业成熟的大背景下，邀请全国学术届、产业界人士首次共聚杭州研讨氧化镓技术研究及产业发展。中国科学院院士杨德仁，国家自然科学基金委高技术研究发展中心原副主任卞曙光，西安电子科技大学党委常委、副校长张进成等嘉宾出席会议。
深圳平湖实验室作为全国宽禁带半导体、超宽禁带半导体功率器件研究和工程验证的重要公共平台，万主任、第四代半导体首席科学家张道华院士应邀参加本次会议，第四代半导体课题组陈嘉祥博士在会上做相关研究报告。
该报告名为《ZrO2/β-Ga2O3 MOS器件的界面态和体陷阱物性研究》，以ALD-ZrO2介质层的氧化镓MOS器件为例，研究了MOS界面处的多种陷阱态，尤其电压和温度影响下界面态和体陷阱捕获/发射载流子的弛豫行为及其对器件稳定性的影响,有助于实现低陷阱密度、高稳定性的氧化镓MOS器件。该研究针对ZrO2等高k介质层与β-Ga2O3界面处的陷阱物性，填补了多物理场下界面态和体陷阱对载流子行为和器件稳定性的研究空白。
深圳平湖实验室在推动SiC、GaN等宽禁带半导体功率器件技术攻关和应用的同时，布局超宽禁带半导体功率材料及器件的研发，组建张道华院士为首的专业研究团队，依托科研平台的软硬件条件研究，推动氧化镓、金刚石、氮化铝等超宽禁带半导体功率器件技术和产业的发展。深圳平湖实验室作为国家级第三代半导体创新、开放、共享的综合性平台，将持续致力于关键性技术、前沿引领技术突破，对外提供一站式技术支撑服务和研发合作，促进产学研深度融合，不断推动中国半导体产业高质量发展。
撰稿 | 宋子杰
校对 | 丁祥金
编辑 | 翟雪婷
图片来源 | 大会组委会
