为进一步加强一流大学科技园区建设，以高水平市校合作推动在深院校研究院高质量发展，2025年3月13日，深圳虚拟大学园春茗会在国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台成功举办。科创战略中心有关负责人、深圳虚拟大学园成员院校深圳研究院代表、国创中心深圳综合平台有关负责人共60余人参会。 会前，国创中心深圳综合平台邀请与会人员参观了全国首个集科研和中试于一体的8吋功率半导体工艺线及业内领先的产学研融合创新性析检测中心，平台相关负责人向大家详细介绍了平台的发展历程、核心业务、科研创新以及设备工艺等多方面的情况，让大家对平台的技术实力和合作潜力有了全面深入的认识。 会上，科创战略中心主要负责同志分享2024年深圳虚拟大学园的工作成效，并提出下一步工作计划。她提出，希望各成员院校深圳研究院充分发挥自身学科优势，深度融合深圳产业资源，共同推进国家大学科技园建设。 国创中心深圳综合平台主任万玉喜回顾了平台建设的各个重要节点，并表示将大力推动第三代半导体关键技术攻关及成果产业化，持续提升创新能力。万玉喜主任还诚邀各成员院校...

深圳平湖实验室GaN工艺及器件课题组刘轩博士在《Japanese Journal of Applied Physics》发表题为”Subthreshold and turn-on characteristics in Schottky-type p-GaN Gate HEMTs: impact of partially and fully depleted p-GaN layer”的研究论文，系统性揭示了p-GaN层激活状态对肖特基栅HEMT器件开态特性的关键调控机制，为新一代高效氮化镓功率器件设计提供了重要理论支撑。 该论文系统探究了p-GaN层Mg激活浓度对肖特基栅极HEMT器件亚阈区及开态特性的调控机制，重点对比了部分耗尽PDP-GaN（partially depleted p-GaN，激活浓度为1e19 cm-3 ~ 7e17 cm-3）与完全耗尽FDP-GaN（fully depleted p-GaN，激活浓度忽略不计）两种结构对器件性能的影响规律。实验表明：PDP-GaN器件保持稳定的亚阈值摆幅SS和阈值电压VTH，其跨导最大值Gm,max随Mg浓度提升呈线性增长；同时，与其他器件相比，具有 FDP-GaN 的器件显示出更高的SS、更低的VTH 和特定的Gm,max。结果表明，亚阈区特性（SS和VT...

       SiC是第三代半导体材料，在低功耗、小型化、高压、高频的应用场景有极大优势。但SiC由于莫氏硬度高达9.5，是很难加工的材料，传统加工流程如下： 衬底工艺流程：   上述流程中用到的多线切割工艺单片衬底材料损失和切割时间如下： ①6 inch SiC晶锭：切割时间约130h，单片材料损失约280～300 μm； ②8 inch SiC 晶锭：切割时间约180h，单片材料损失约280～300 μm； 由此计算，1颗SiC晶锭，厚度为20 mm，单片损失按照300μm，理论产出晶片30片，单片材料损耗率达到46%。 为降低材料损耗，深圳平湖实验室新技术研究部开发激光剥离工艺来替代传统的多线切割工艺，其工艺过程示意图如下所示：   激光剥离工艺与多线切割工对照： 有益效果：使用激光剥离工艺，得到6/8 inch SiC衬底500μm和350μm产品单片材料损耗≤120 μm，出片率提升40%，单片成本降低约22%。 激光剥离技术在提高生产效率、降低成本方面具有显著效果，该工艺的推广，对于快速促进8 inch SiC衬底产业化进程有着重要意义。不仅为SiC...

中共中央办公厅、国务院办公厅印发了《关于进一步加强科研诚信建设的若干意见》，并发出通知，要求各地区各部门结合实际认真贯彻落实。 《关于进一步加强科研诚信建设的若干意见》全文如下。 科研诚信是科技创新的基石。近年来，我国科研诚信建设在工作机制、制度规范、教育引导、监督惩戒等方面取得了显著成效，但整体上仍存在短板和薄弱环节，违背科研诚信要求的行为时有发生。为全面贯彻党的十九大精神，培育和践行社会主义核心价值观，弘扬科学精神，倡导创新文化，加快建设创新型国家，现就进一步加强科研诚信建设、营造诚实守信的良好科研环境提出以下意见。 一、总体要求 （一）指导思想。全面贯彻党的十九大和十九届二中、三中全会精神，以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导，落实党中央、国务院关于社会信用体系建设的总体要求，以优化科技创新环境为目标，以推进科研诚信建设制度化为重点，以健全完善科研诚信工作机制为保障，坚持预防与惩治并举，坚持自律与监督并重，坚持无禁区、全覆盖、零容忍，严肃查处违背科研诚信要求的行为，着力打造共建共享...

      2024年中央经济工作会议提出，以科技创新引领新质生产力发展，建设现代化产业体系。深圳认真学习贯彻习近平总书记关于科技创新和新质生产力的重要论述，加快构建具有深圳特点和深圳优势的现代化产业体系，在过去一年里涌现出一大批科技创新成果。       其中，以深圳平湖实验室作为主体运营单位的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台取得阶段性成果，其打造的“全国首个集科研和中试于一体的8吋先进功率半导体开放共享平台建成启用”入选2024年深圳科技创新十件大事及《深圳特区报》2024深圳产业科技创新大事。两次入选市级科创年度大事件，既是深圳综合平台迈出里程碑一步的重要标志，也是平台全体同仁齐心协力、共同努力的成果见证。 图一：入选深圳市科技创新局2024年深圳科技创新十件大事      图二：入选《深圳特区报》2024深圳产业科技创新大事     内容来源 | 深圳市科技创新局、深圳特区报整理编辑 | 翟雪婷、宋子杰...

        深圳平湖实验室第四代材料器件课题组针对β相氧化镓p型导电困难问题，在理论上考察了不同金属元素固溶对β相氧化镓能带结构的调控机制。该成果“Effect of Alloying Metal Elements on the Valence Band of β‑Ga2O3: A First-Principles Study” 已在《The Journal of Physical Chemistry Letters》国际期刊上发表，文章链接为：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jpclett.4c03493 。查显弧博士是该文的第一作者，万玉喜主任和张道华院士是该文通讯作者，李爽副教授为合作作者。        β相氧化镓具有超宽的半导体带隙和经济成熟的制备方法，是当前高度关注的功率器件半导体材料。然而，由于其价带能级低、空穴质量大等因素，氧化镓的p型导电仍充满挑战。如何实现p型掺杂，制备具有更高雪崩能力和过流稳定性的氧化镓p-n同质结是需要突破的重要方向。利用尺寸效应、缺陷调控、非平衡动力学及固溶提升价带顶能级等方案是目前研究实现 β相氧化镓 p 型掺杂的主要...

01 通线仪式——创芯启航，通线未来 在政府各部门的关心支持和相关企事业单位的全力推进下，国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台于2024年11月29日正式举办通线仪式。 通线仪式当天汇聚了包括政府领导、高校领导和教授以及来自行业协会、领军企业的近百名重量级嘉宾到场，一同见证了这一历史性的时刻。这不仅是对深圳综合平台能力的肯定和鼓励，也展现了各界对平台未来发展的期待和信心。 活动在深圳综合平台中试线总经理Peter CHIA的主持下拉开帷幕，开场介绍到场嘉宾后，与会人员通过观看平台建设过程回顾视频，全面了解了平台从筹备、建设到通线的每一步重要节点和成长历程。 中国工程院院士、中国工程院原副院长、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任干勇院士登台致辞，他从国家战略层面阐述了深圳综合平台的重要性，并对该平台的发展前景充满信心。同时表达了对超宽禁带化合物半导体技术创新的重视与支持，强调了深圳在产业链集群方面的优势以及对深圳综合平台未来的期许。 中国电子科技集团有限公司总监左雷紧接着登台致辞，高度肯定了深圳...

2024年11月19日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州开幕这是第三代半导体领域重要的论坛之一，行业专家云集，深圳平湖实验室多位专家学者受邀出席大会，并在多场分论坛带来精彩分享，深度参与其中。   9项 SiC MOSFET测试与可靠性标准发布仪式 为促进产业链协同创新发展，第三代半导体产业技术创新战略联盟在产业各界的关注和支持下，布局并持续启动了SiC MOSFET功率器件的系列标准制定工作，本次开幕式上，举行了9项SiC MOSFET功率器件测试与可靠性标准的发布仪式。深圳平湖实验室主任万玉喜作为参与多个标准制定的单位代表上台共同发布。 这一系列标准的发布，旨在为SiC MOSFET功率器件提供一套科学、合理的测试与评估方法，支撑产品性能提升，推动产业高质量发展。   第三代半导体标准与检测研讨会 “第三代半导体标准与检测研讨会”同步举办，本次研讨会亮点纷呈，多位行业权威专家围绕第三代半导体的技术前沿和标准体系进行了深...