2024年7月18日，深圳平湖实验室在杭州“2024年第一届氧化镓技术与产业研讨会”首次对外亮相。本次产业研讨会是由浙江大学杭州国际科创中心等单位主办，在氧化材料和技术日趋产业成熟的大背景下，邀请全国学术届、产业界人士首次共聚杭州研讨氧化镓技术研究及产业发展。中国科学院院士杨德仁，国家自然科学基金委高技术研究发展中心原副主任卞曙光，西安电子科技大学党委常委、副校长张进成等嘉宾出席会议。        深圳平湖实验室作为全国宽禁带半导体、超宽禁带半导体功率器件研究和工程验证的重要公共平台，万主任、第四代半导体首席科学家张道华院士应邀参加本次会议，第四代半导体课题组陈嘉祥博士在会上做相关研究报告。        该报告名为《ZrO2/β-Ga2O3 MOS器件的界面态和体陷阱物性研究》，以ALD-ZrO2介质层的氧化镓MOS器件为例，研究了MOS界面处的多种陷阱态，尤其电压和温度影响下界面态和体陷阱捕获/发射载流子的弛豫行为及其对器件稳定性的影响,有助...