2024年9月20日至21日，中国电源学会元器件专业委员会（ECDC2024）西安学术研讨会成功举办。来自电子科技大学、西安理工大学、东南大学、深圳平湖实验室、江苏宏微科技股份有限公司等30余所知名高校、全国半导体行业研究所及领军企业的160余位专家学者汇聚一堂，共同探讨功率半导体元器件的科研成果与发展趋势。           与会专家学者围绕SiC和GaN器件的应用前景、存在的主要挑战，功率集成电路的技术发展趋势和市场前景，Si基功率器件面对宽禁带器件的挑战、技术突破和发展路径等议题开展了自由而热烈的讨论, 深圳平湖实验室主任万玉喜作为受访嘉宾之一，与参会代表互动，共同探讨行业发展的热点问题，为未来的科研合作与产业发展提供了宝贵的思路和建议。     部分文字、图片来源 | 大会组委会编辑 | 翟雪婷...

          2024年9月19日，西安交通大学党委书记卢建军、常务副校长别朝红，在西交大创新港会见了深圳平湖实验室团队一行。卢书记对校企联合发展半导体产业给予了高度肯定，他提出深圳平湖实验室作为有实力的中间端，要做好前端和后端的衔接，西交大可以帮助平湖实验室补齐前端和后端的产业链资源。深圳平湖实验室主任万玉喜表示平湖实验室有信心与西交大紧密协同，达成全链条深入合作意向，为国内半导体产业的发展做出应有的贡献。     深圳平湖实验室与西安交通大学共建“研究生协同培养育人基地”         西安交通大学教育基金会秘书长刑晓强、微电子学院院长耿莉、副院长张鸿等领导和老师与平湖实验室一行就半导体器件等领域的合作进行了深入的交流。随后，举办了西安交通大学与深圳平湖实验室“研究生协同培养育人基地”签约仪式，西交大微电子学院张鸿副院长、平湖实验室人力资源部长王疆分别代表双方进行了签约。          此外，西安交通大学...

  专利速递         深圳平湖实验室崔新春等人获得《金刚石衬底及其生长方法、金刚石外延层的生长方法》发明专利授权。       摘要        公开提供了一种金刚石衬底及其生长方法、金刚石外延层的生长方法，涉及半导体技术领域，旨在提高金刚石衬底及金刚石外延层的质量。金刚石衬底的生长方法包括：提供多片金刚石籽晶，金刚石籽晶具有主表面及多个拼接侧面；金刚石籽晶的主表面为(100)取向；主表面具有相邻的掩膜区和非掩膜区；多片金刚石籽晶包括第一籽晶和第二籽晶；在各金刚石籽晶的主表面上形成第一掩膜层，第一掩膜层位于掩膜区；将第一籽晶的一拼接侧面和第二籽晶的一拼接侧面相贴合；采用微波等离子体化学气相沉积法，在第一籽晶和第二籽晶之间的拼缝内、第一籽晶的非掩膜区和第二籽晶的非掩膜区生长单晶金刚石。金刚石衬底用作半导体材料。     专利授权书   撰稿 | 崔新春 等 编辑 | 翟雪婷...

  制造芯势力，引领向未来          当今电子技术领域的发展日新月异，尤其是在半导体材料和器件方面，SiC（碳化硅）衬底作为一种关键材料，正逐步展现出其在功率电子和光电子应用中的重要性。     碳化硅（SiC）材料应用          碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，具有比传统硅（Si）更高的热导率、电场饱和、漂移速度和击穿电压，因而在高功率、高频率电子器件中表现出显著的优势。其中，SiC衬底作为制备这些器件的基础，其晶体质量和物理性能对器件性能具有至关重要的影响。   碳化硅（SiC）加工流程          SiC衬底的晶体质量对器件的电特性和可靠性至关重要。高质量的SiC衬底能够有效减少晶格缺陷和杂质，提高器件的击穿电压和导电性能，从而降低功率器件的开关损耗，提高整体效率。因此，SiC晶体生长过程控制缺陷和衬底加工中主要工艺站点切割/研磨/CMP抛光对衬底面型几何参数非常重要，下面我们初步了解衬底生产的大致流程： S...

       中国集成电路产业年度盛会——2024中国（深圳）集成电路峰会于2024年8月16日在深圳南山开幕，该会由中国半导体行业协会集成电路设计分会指导，深圳市人民政府主办，深圳市发展改革委员会、深圳市工业和信息化局、深圳市科技创新局和南山区人民政府举办。          在中国科学院院士、深圳大学校长毛军发、深圳市发展和改革委员会二级巡视员秦世杰等众多政府领导和行业重量级嘉宾的见证下，深圳半导体行业协会邀请深圳平湖实验室等机构及企事业单位签署半导体和集成电路产业生态共建框架合作协议。            签约方将携手在共性技术研发、产学研合作、创新成果转化、高水平对外开放等方面合作，促进产业链上下游发展，共同推动技术创新与产业升级。     撰稿 | 宋子杰 校对 | 丁祥金 图片来源 | 大会组委会 编辑 | 翟雪婷...

       近日，西安理工大学校长刘云贺一行调研深圳平湖实验室，实验室相关领导陪同参观并开展交流活动。        深圳平湖实验室人力资源部部长详细介绍了实验室发展历程、核心业务、科研创新及设备配套等方面的情况。        西安理工大学国际工学院院长、电子学科带头人杨媛教授代表西安理工大学，对学校的发展历程及功率半导体材料与器件相关科研成果、未来规划做了详细介绍。        双方就科研创新、人才培养和成果转化经验等话题进行了深入交流，刘云贺校长表示，后续双方将持续深化科研合作和人才联合培养。        随后深圳平湖实验室领导陪同刘校长一行调研了实验室科研设施建设进展情况。        刘校长此次来访调研，深化了西安理工大学与深圳平湖实验室之间的合作，为国家战略及产业需求培养高技术水平的科技人才贡献了力量。   撰稿 | 王尤雅 摄影 | 西安理工大学校友会、王尤雅 编辑 | 翟雪婷...

       2024年7月18日，深圳平湖实验室在杭州“2024年第一届氧化镓技术与产业研讨会”首次对外亮相。本次产业研讨会是由浙江大学杭州国际科创中心等单位主办，在氧化材料和技术日趋产业成熟的大背景下，邀请全国学术届、产业界人士首次共聚杭州研讨氧化镓技术研究及产业发展。中国科学院院士杨德仁，国家自然科学基金委高技术研究发展中心原副主任卞曙光，西安电子科技大学党委常委、副校长张进成等嘉宾出席会议。        深圳平湖实验室作为全国宽禁带半导体、超宽禁带半导体功率器件研究和工程验证的重要公共平台，万主任、第四代半导体首席科学家张道华院士应邀参加本次会议，第四代半导体课题组陈嘉祥博士在会上做相关研究报告。        该报告名为《ZrO2/β-Ga2O3 MOS器件的界面态和体陷阱物性研究》，以ALD-ZrO2介质层的氧化镓MOS器件为例，研究了MOS界面处的多种陷阱态，尤其电压和温度影响下界面态和体陷阱捕获/发射载流子的弛豫行为及其对器件稳定性的影响,有助...

       2024年7月16日下午，深圳平湖实验室主任率队赴浙江大学杭州国际科创中心（简称浙大杭州科创中心）调研参观及交流。浙大杭州先进半导体研究院副院长、半导体材料研究室主任皮孝东接待了深圳平湖实验室一行访问，并由先进半导体研究院半导体材料研究室课题组长王蓉特聘研究员为大家详细介绍浙大杭州科创中心平台建设、研究内容、创新体系、人才团队等情况。        浙大杭州科创中心是浙江大学和杭州市全面深化市校战略合作共建的重大科技创新平台，以重大科研任务攻关和大型科技基础设施建设为主线，聚焦物质科学、信息科学、生命科学的会聚融通，推进多学科的交叉会聚和跨界融合，培育重大引领性、原创性科研成果，孵化高新科技类领军企业和独角兽企业，探索有利于基础研究、应用研究与产业发展全链条贯通的体制机制。        随后，先进半导体研究院功率芯片研究室课题组长任娜副研究员带领万主任一行参观宽禁带半导体材料与器件科研产线，在展示中心着重介绍了SiC材料的突破6吋100mm厚度晶锭生...